小型单晶炉
发布时间：
2023/08/14 22:09
装备是一家成立于2012年2月的半导体专用设备供应商，专业从事8-12英寸半导体级硅单晶炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的企业。公司产品主要包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。截至招股书签署日，装备享有已授权国内专利76项，其中发明专利27项。装备表示，该公司承担了等项目。
请发行人说明：（1）公司蓝宝石单晶炉、半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉技术的研发过程、关键节点；三者之间的技术关联性；（2）不同尺寸半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉的技术发展具体情况；（3）结合股东非专利技术出资、LP新能源和晶能半导体发挥的作用、研发人员及研发费用等，分析公司核心技术的来源；（4）目前半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉的主要技术路线及主流技术路线情况，据此分析发行人技术路线的先进性及迭代风险。
深圳进化半导体，立于2021年，是一家专业从事第四代半导体氧化镓（Ga2O3）晶片研发、生产和销售的半导体企业，是少有的拥有氧化镓的单晶炉设计、热场设计、生长工艺、晶体加工等全系列自主知识产权技术的氧化镓单晶衬底生产商之一。
中旬，栏目，已专题报道了在第三代半导体装备领域取得的重要突破。原来，第三代半导体碳化硅产业链中最为重要的一个环节就是碳化硅衬底材料的制备，这种材料需要在2500摄氏度以上的高温以及真空环境中生长。由于晶体生长工艺要求苛刻，因此对碳化硅单晶生长炉装备提出了很高的要求。十年前，已开始涉足第三代半导体碳化硅装备的研发，先后研发出碳化硅单晶生长炉、碳化硅粉料合成炉、碳化硅晶体退火炉、籽晶粘接炉等碳化硅产业链中的多款核心装备。
其中，激光剥离科研团队已掌握激光剥离技术原理与工程基础，基于工艺与装备协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离；晶圆键合设备样机研制成功，针对不同应用对象的要求，完成了系列化产品的开发；碳化硅单晶生长炉已完成智能化8英寸碳化硅单晶生长炉定型的设计，实现了外购件国产化替代；碳化硅单晶生长工艺研究，已生长出6英寸厚度大于35毫米的合格碳化硅晶体。（）
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